|
1. 高靜壓(ya)差(cha)壓變(bian)送器(qi)性(xing)能(neng)規格(ge)
（零基準(zhun)校(xiao)驗範(fan)圍，參(can)考(kao)條件下(xia)，矽油充液，316 L不鏽(xiu)鋼隔(ge)離(li)膜片。）
1.1. 參(can)考精(jing)度(du)
1.1.1. 數(shu)字、智(zhi)能：±0.1%校(xiao)驗(yan)量程
1.1.2. 模(mo)拟、線性(xing)：±0.2%校(xiao)驗量(liang)程
1.2. 穩(wen)定(ding)性(xing)
1.5.1.數字(zi)、智能：6個月(yue)，±0.1%URL
1.5.2.模拟(ni)、線性(xing)：6個(ge)月(yue)，±0.2%URL
1.3. 環境(jing)溫度影響(xiang)
1.3.1.數字(zi)、智能(neng)：
零(ling)點誤差(cha)：±0.2%URL/56℃
總體誤差：±（0.2%URL+0.18%校驗(yan)量程(cheng)）/56℃
1.3.2.模拟、線性(xing)
零點誤差：±0.5%URL/56℃
總體(ti)誤差(cha)：±（0.5%URL+0.5%校(xiao)驗(yan)量程(cheng)）/56℃
1.4. 靜壓影(ying)響(xiang)
1.4.1.零點
在31027kPa靜(jing)壓下,爲±0.2%URL。零(ling)點誤差可(ke)在線通過(guo)調零修正(zheng)。
1.4.2.量程
可修正至(zhi)±0.25%輸出讀(du)數/6895kPa
1.5. 振動(dong)影響
在(zai)任(ren)意軸(zhou)向上(shang)，200Hz下(xia)振動影(ying)響爲±0.05%URL/g
1.6. 電源影響(xiang)
小于±0.005%輸出(chu)量程(cheng)/伏特(te)。
1.7. 負載(zai)影響：
沒有(you)負載影響(xiang)，除非(fei)電源電壓(ya)有變(bian)化(hua)。
|
|
1.8. 電磁幹(gan)擾/射頻(pin)幹(gan)擾（EMI/RFI影響）
由(you)20至(zhi)1000MHz，場強達(da)至30V/M時，輸出(chu)漂移小于±0.1%量(liang)程(cheng)。
1.9. 安裝(zhuang)位置影響(xiang)
零點漂移(yi)至多爲±0.25kPa。所(suo)有的(de)零(ling)點(dian)漂移(yi)都可(ke)修正(zheng)掉；對(dui)量程無影(ying)響。
2. 功(gong)能規格
2.1. 測(ce)量範(fan)圍：差壓(ya)：0-1.3～6890KPa
靜壓：25、32MPa
2.2. 零(ling)點與量(liang)程(cheng)
2.2.1. 數字(zi)、智能(neng)：可用本機量程(cheng)和(he)零(ling)點按(an)鈕調整，或用HART手(shou)操器(qi)調整。
2.2.2. 模拟(ni)、線性(xing)：量程(cheng)和零(ling)點連(lian)續(xu)可調。
2.3. 零(ling)點正、負(fu)遷移
零點負(fu)遷移時，量(liang)程下限(xian)必(bi)須大(da)于或(huo)等于-URL；零點(dian)正遷(qian)移時(shi)，量程(cheng)上限(xian)必須小于(yu)或等于+URL。校(xiao)驗量程大(da)于或等于(yu)最小量程。
2.4. 輸出(chu)
數字(zi)、智(zhi)能：
4～20mA DC，用戶(hu)可選擇(ze)線性或(huo)平方(fang)根輸(shu)出,數(shu)字過(guo)程變量疊加在(zai)4～20mA DC信号上，可(ke)供采(cai)用(yong)HART協(xie)議的上位(wei)機使(shi)用。
模(mo)拟、線性：
4～20mA DC,與(yu)過程(cheng)壓力(li)成(cheng)線(xian)性。
2.5. 阻(zu)尼時(shi)間常數
數(shu)字、智(zhi)能(neng)：時(shi)間常(chang)數可(ke)調(diao)，以(yi)0.1秒遞(di)增，由(you)最小至16.0秒(miao)。
模拟、線性(xing)：時間(jian)常數可(ke)調，由最(zui)小至1.67秒。
|
